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產(chǎn)品中心

XUV04MB-GE

全真空X光相機采用新一代無抗反射鍍膜背照式sCMOS芯片，在對應1.2eV-1000eV光子能量范圍內量子效率大幅提升，整體超過了90%，部分波段達到了近乎100%的超高水平，具有更專業(yè)的軟X射線、極紫外成像性能和抗輻射損傷能力。采用深度制冷設計，可兼容高真空腔體環(huán)境應用，大幅降低相機本底噪聲和熱噪聲，提升相機的長時曝光工作時間。

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產(chǎn)品型號	XUV04MB-GE
圖像傳感器	背照式sCMOS
快門模式	卷簾快門/仿全局快門
圖像陣列	2048×2048(H×V)
像素尺寸	11µm×11µm
靶面尺寸	31.9mm，2英寸
數(shù)據(jù)位寬	16bit
動態(tài)范圍（典型值）	95dB
讀出噪聲（典型值）	1.6e^-
滿肼電子（典型值）	91000e^-
暗電流（典型值）	1.4e^-/p/s@-10℃
光譜范圍	1.2eV~1000eV；1nm~1100nm
峰值量子效率	約100%，詳見光譜響應曲線
響應線性度	＞99%
DSNU（典型值）	0.6e^-
PRNU（典型值）	1%
最高幀頻	4fps
曝光時間	60µs~50s
數(shù)據(jù)接口及協(xié)議	千兆以太網(wǎng)協(xié)議；RJ45
控制/觸發(fā)接口	1in，BNC同軸電纜，LVTTL電平，沿觸發(fā)
制冷/散熱	半導體制冷、儲熱材料吸熱、低于環(huán)境溫度10~30℃，控溫精度0.1℃
電源／功耗	12VDC，約10~30W
真空持續(xù)工作時間	4小時
光學接口	C/F口
外形尺寸	100mm×100mm×150mm(W×H×L)
重量	約3500g
溫度濕度	工作溫度：0℃~30℃；存儲溫度：-10℃~30℃；濕度：10%~85%
真空兼容度	10^-3Pa
操作系統(tǒng)	Windows/Linux/國產(chǎn)操作系統(tǒng)
二次開發(fā)庫	C、C#、C++、Labview、VB