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XUV04MB-GE

X光相機(jī)（全真空及半真空）采用新一代無(wú)抗反射鍍膜背照式sCMOS芯片，在對(duì)應(yīng)1.2eV-1000eV光子能量范圍內(nèi)量子效率大幅提升，整體超過(guò)了90%，部分波段達(dá)到了近乎100%的超高水平，具有更專業(yè)的軟X射線、極紫外成像性能和抗輻射損傷能力。采用深度制冷設(shè)計(jì)，可兼容高真空腔體環(huán)境應(yīng)用，大幅降低相機(jī)本底噪聲和熱噪聲，提升相機(jī)的長(zhǎng)時(shí)曝光工作時(shí)間。

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產(chǎn)品型號(hào)	XUV04MB-GE
圖像傳感器	背照式sCMOS
快門模式	卷簾快門/仿全局快門
圖像陣列	2048×2048(H×V)
像素尺寸	11µm×11µm
靶面尺寸	32mm，2英寸
數(shù)據(jù)位寬	16bit
動(dòng)態(tài)范圍	90dB
讀出噪聲	＜2e-
滿阱電子	80000e-
暗電流	6.5e-/p/s@10℃
光譜范圍	1.2eV~1000eV；1nm~1100nm
峰值量子效率	約100%，詳見光譜響應(yīng)曲線
響應(yīng)線性度	＞99%
DSNU	＜2e-
PRNU	＜1.5%
最高幀頻	4fps
曝光時(shí)間	60µs~50s
數(shù)據(jù)接口及協(xié)議	千兆以太網(wǎng)協(xié)議；RJ45
控制/觸發(fā)接口	1in，BNC同軸電纜，LVTTL電平，沿觸發(fā)
制冷/散熱	半導(dǎo)體制冷、儲(chǔ)熱材料吸熱、低于環(huán)境溫度10~30°C，控溫精度0.1℃
電源／功耗	12VDC，約10~30W
真空持續(xù)工作時(shí)間	4小時(shí)
光學(xué)接口	C/F口
外形尺寸	100mm×100mm×150mm（W×H×L）
重量	約3500g
溫度濕度	工作溫度：0°C~30°C；存儲(chǔ)溫度：-10℃~+30℃；濕度：10%~85%
真空兼容度	10-3Pa
操作系統(tǒng)	Windows/Linux/國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)
二次開發(fā)庫(kù)	C、C#、C++、Labview、VB

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