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XUV04M-50BP-5G

半真空X光相機(jī)采用新一代無抗反射鍍膜背照式sCMOS芯片，在對應(yīng)1.2eV-1000eV光子能量范圍內(nèi)量子效率大幅提升，整體超過了90%，部分波段達(dá)到了近乎100%的超高水平，具有更專業(yè)的軟X射線、極紫外成像性能和抗輻射損傷能力。

產(chǎn)品型號	XUV04M-50BP-5G
傳感器類型	無抗反射鍍膜背照式sCMOS
分辨率	2048×2048 (H×V)
有效面積	13.3mm×13.3mm
像元尺寸	6.5μm×6.5μm
安裝接口	CF100法蘭，支持定制
光譜范圍	1.2eV~1000eV；1nm~1100nm
真空兼容度	10^-5Pa
制冷/散熱	半導(dǎo)體制冷、風(fēng)冷+水冷散熱、低于環(huán)境溫度50℃，控溫精度0.1℃

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