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ICT72F100B大靶面CCD射線探測器

主要由光纖數(shù)據(jù)獲取裝置（含專用直流電源）、CdWO4晶體、導(dǎo)光束陣列、數(shù)據(jù)光纖、外觸發(fā)配件、專用軟件、屏蔽安裝箱等組成。用來測量穿過被檢工件的射線信號，經(jīng)放大和模數(shù)轉(zhuǎn)換后送入計算機進行圖象重建，可探測1~10MeV高能伽馬射線。

選用大面陣全填充因子的科學(xué)級CCD芯片，保證設(shè)備高靈敏度、高響應(yīng)線性度；

正方形像素，保證圖像空間真實度；

低噪聲電路設(shè)計，保證設(shè)備低噪聲及高動態(tài)；

產(chǎn)品具備抗輻照能力；

72路探測器陣列，探測間距僅5mm，保證了CT成像的精密要求；

各通路平衡性極佳，光電性能極為穩(wěn)定，不受溫濕度及時間影響，設(shè)備維護成本極低；

可根據(jù)用戶需求，提供36路探測通道或108路探測通道的產(chǎn)品。

ICT04F120-GE高能X射線瞬時劑量系統(tǒng)

ICT04F120-GE高能X射線瞬時劑量系統(tǒng)是專用于射線劑量分析的設(shè)備。4路探頭，可測試4組射線劑量，每路導(dǎo)光束長度15米，探測面直徑1.5mm，可探測1~10MeV高能伽馬射線。

光纖面板耦合，傳光效率高

主體尺寸僅45mm×45mm×76mm

XRT07M-150F-GE

專用于軟 X 射線探測分析，可適用于真空環(huán)境，能在強電磁輻射干擾下正常工作。11 英寸大靶面 CMOS 圖像傳感器 + 光纖面板耦合閃爍體，遠控距離≥500m。

大靶面圖像傳感器，靈敏度極高；

具備閃存功能，能在本地保存圖像、支持圖像重傳；

光纖面板耦合，傳光效率高；

抗輻射性能強，強電磁脈沖（不低于30kV@1ns）干擾下可以正常工作；

SZD03M-GE

專用于軟 X 射線探測分析，可適用于真空環(huán)境，能在強電磁輻射干擾下正常工作。9 英寸大靶面 CMOS 圖像傳感器 + 光纖面板耦合閃爍體，遠控距離≥500m。

大靶面圖像傳感器，靈敏度極高；

具備閃存功能，能在本地保存圖像、支持圖像重傳；

抗輻射性能強，強電磁脈沖干擾下可以正常工作。

HEED03M-GE

專用于高能電子探測分析。電子和傳像光纖形成一定夾角，轟擊在閃爍體上，閃爍體發(fā)光后，通過傳像光纖傳導(dǎo)到下端的探測器。由于電子和傳像光纖具有一定夾角，可確保多余的電子束穿過傳像光纖后，錯開下端的傳感器，起到保護作用。其遠控距離≥300m。

大靶面圖像傳感器，靈敏度極高；

高灰度≥14bit，動態(tài)范圍 3500:1；

正方形像素，保證圖像空間真實度；

光纖面板耦合，傳光效率高；

千兆以太網(wǎng)通訊協(xié)議，使用簡便，傳輸可靠，傳輸速率高；

結(jié)構(gòu)緊湊，主體尺寸僅 60mm×70mm×257mm（W×H×L）；

相機接口工業(yè)化設(shè)計，杜絕安裝不可靠及松脫故障；

在線離子探測器

在線離子探測器專用于高能離子探測，采用大靶面科學(xué)級圖像傳感器，有效面積達66mm(H)×24.9mm(V)，靈敏度極高。

高灰度12bit，動態(tài)范圍＞2000倍

結(jié)構(gòu)緊湊，主體尺寸僅57mm×17.5mm×100mm（W×H×L）

具備單次采集、連續(xù)采集、X-Ray觸發(fā)、專用外部觸發(fā)多種觸發(fā)模式

專用測量軟件，具備多種圖像增強及圖像分析功能