采用新一代無(wú)抗反射鍍膜背照式sCMOS芯片,在對(duì)應(yīng)1.2eV-1000eV光子能量范圍內(nèi)量子效率大幅提升,整體超過(guò)了90%,部分波段達(dá)到了近乎100%的超高水平,具有更專(zhuān)業(yè)的軟X射線、極紫外成像性能和抗輻射損傷能力。
采用新一代無(wú)抗反射鍍膜背照式sCMOS芯片,在對(duì)應(yīng)1.2eV-1000eV光子能量范圍內(nèi)量子效率大幅提升,整體超過(guò)了90%,部分波段達(dá)到了近乎100%的超高水平,具有更專(zhuān)業(yè)的軟X射線、極紫外成像性能和抗輻射損傷能力。
型號(hào) | VPCHD38M-6B-5G |
圖像傳感器 | 背照式sCMOS |
快門(mén)模式 | 卷簾快門(mén)/仿全局快門(mén) |
有效像素 | 6144(H)×6144(V) |
有效面積 | 61.44mm×61.44mm |
像素尺寸 | 10μm×10μm |
光譜范圍 | 1.2ev~1000ev,200nm~1100nm |
峰值量子效率 | 95%@580nm |
數(shù)據(jù)位寬 | 14bit/16bit |
讀出噪聲(典型值) | HG:2.3e-;LG:10e- |
滿肼電子(典型值) | HG:8.9ke-;LG:68ke- |
動(dòng)態(tài)范圍(典型值) | HG:71dB;LG:77dB |
DSNU(典型值) | HG:7e-;LG:38e- |
PRNU(典型值) | HG:2%;LG:2% |
暗電流(典型值) | 35e-/p/s@27℃ |
最高幀頻 | 6fps |
曝光時(shí)間 | 40.96us~80s |
ROI | 支持 |
BIN | 2×2BIN、4×4BIN,數(shù)字BIN |
協(xié)議及數(shù)據(jù)接口 | GigE Vision2.0;RJ45 |
控制/觸發(fā)接口 | 2in,2out,SMA同軸電纜,LVTTL電平,沿觸發(fā) |
制冷/散熱 | 半導(dǎo)體制冷,儲(chǔ)熱材料吸熱,水冷散熱; 40℃溫差@水冷(水溫25℃);30℃溫差@儲(chǔ)熱(環(huán)境25℃) |
電源/功耗 | 15VDC/<100W |
光學(xué)安裝接口 | F口,安裝板可拆卸 |
外形尺寸 | 140mm×140mm×175mm(W×H×L) |
重量 | 約4Kg |
真空持續(xù)工作時(shí)間 | 長(zhǎng)時(shí)間工作@水冷;≥2h@儲(chǔ)熱(制冷至25℃) |
工作環(huán)境 | 真空或大氣 |
真空度兼容 | 10-3Pa |
操作系統(tǒng) | Windows/Linux/國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng) |
二次開(kāi)發(fā)庫(kù) | C、C++、C#、LABVIEW、MATLAB、Python等 |