自1995年Andor生產(chǎn)出第一款真空密封，深度制冷CCD以來(lái)，真空相機(jī)已經(jīng)被應(yīng)用于各類高靈敏度探測(cè)器。在弱光探測(cè)領(lǐng)域，暗電流是不可忽視的噪聲之一，克服暗電流的常見方法就是通過(guò)高真空密封技術(shù)，將芯片迅速制冷。隨著探測(cè)器技術(shù)的完善，科學(xué)級(jí)CMOS因其速度快，讀出噪聲低等優(yōu)點(diǎn)快速得到市場(chǎng)認(rèn)可。但我們發(fā)現(xiàn)市面常見的sCMOS相機(jī)不再考慮真空技術(shù)，最容易被接受的觀點(diǎn)就是：sCMOS已經(jīng)克服了讀出噪聲，且在高速成像（短時(shí)間曝光）應(yīng)用中，暗噪聲的因素可以忽略。
真空制冷可以克服暗電流，但是，真空技術(shù)的優(yōu)勢(shì)并不僅在于此！ 1、保護(hù)芯片
在非真空環(huán)境下，芯片裸露在氣體中，水汽、環(huán)烴類聚合物或氣體雜質(zhì)會(huì)慢慢凝結(jié)到表面，相機(jī)的性能會(huì)隨著時(shí)間逐漸衰退，最顯然的就是量子效率QE的衰減。如果芯片長(zhǎng)時(shí)間受到水汽影響，會(huì)導(dǎo)致電路損壞，相機(jī)無(wú)法使用。
2、無(wú)需抽氣
Andor的UltraVacTM 真空技術(shù)采用全金屬密封，完全隔離氣體、水汽的侵襲。真空度不會(huì)隨時(shí)間下降，客戶無(wú)需將相機(jī)返廠抽氣，極大的降低了維護(hù)成本！
由于工藝水平要求極高，目前主流sCMOS廠商的相機(jī)均無(wú)法在國(guó)內(nèi)完成返廠抽氣，而國(guó)內(nèi)科研工作者可能深有體會(huì)的是，簡(jiǎn)單的“返廠”二字伴隨的往往是長(zhǎng)達(dá)數(shù)月甚至半年的空白期，在空白期無(wú)儀器可用。
3、減少熱像素
因?yàn)閟CMOS獨(dú)立的讀出結(jié)構(gòu)，其像素均勻性要差于CCD，除了常見的暗噪聲、壞點(diǎn)(Defective Pixel)之外，熱像素（Hot Pixel）也是影響sCMOS成像品質(zhì)的重要因素。通過(guò)真空密封，降低制冷溫度，可以明顯減少熱像素?cái)?shù)量，獲得均勻性更好的圖像質(zhì)量。